Российские и швейцарские ученые разработали «световой» жесткий диск нового поколения. Его создание эксперты уже назвали прорывом в компьютерных технологиях. Новый материал имеет все свойства обыкновенного магнитного диска, но скорость записи данных возрастает в разы, при этом устройство не перегревается. Об открытии рассказывает журнал Nature Communications.
Как сообщают ученые, основной этап создания магнитных дисков самого последнего поколения завершен. В процессе работ получен новый материал, который размагничивается при световом облучении и при этом не утрачивает своих свойств.
Первые накопители на основе действия света и магнитных полей были разработаны 30 лет назад. Впрочем, это были только прототипы, где свет исполняет второстепенную функцию. Такие диски были не способны конкурировать с флеш-картами и обычными жесткими дисками по скорости записи.
Сегодня эксперты убеждены, что новый материал опередит по свойствам даже флешки. Исследования в данном направлении продолжаются.

Компания Sony организовала производство по выпуску USB накопителей на территории РФ. Продукция получит маркировку «Сделано в России». Сведения об этом распространили представители японской корпорации.
Предприятие Sony по производству флешек уже функционирует. Сейчас на нем собираются флешки объемом от 8 до 64 гигабайт.
Изготавливаемые карты памяти будут представлены в формате microSD. Эксперты фирмы Sony утверждают, что вся продукция будет изготовлена на самом современном оборудовании.
По заверениям специалистов компании, карты памяти не будут отличаться по качеству от тех, что изготавливаются в Японии. В перспективе компания намерена расширять производство и, соответственно, ассортимент выпускаемой в России продукции.

Российские ученые из Новосибирска создали флешку с использованием мультиграфена. По своему быстродействию она превосходит аналоги из других материалов в два-три раза. Принцип действия флешки основан на впрыскивании и хранении электрического заряда в запоминающей среде. Об этом рассказывает издание «Наука в Сибири».
Необходимыми компонентами в работе новинки считаются туннельный и блокирующий слои. Первый делается из оксида кремния, а второй - из высокопроницаемого диэлектрика.
Эффективность флеш-памяти зависит от энергии, которая расходуется на выведение электрона из вещества. А мультиграфен как раз характеризуется большой работой выхода для электронов, поясняют ученые.
О серийном выпуске флеш-памяти новосибирские специалисты пока речь не ведут. Пока осуществляются только фундаментальные исследования. Для коммерческого использования данного устройства в РФ нужно предприятие с современными технологиями, стоимость которого порядка $5 млрд.